在前沿研究領域，微波等離子寬帶隙半導體仍處于實驗室開發(fā)階段。注：阿爾法等離子微波等離子清洗/脫膠設備用于相應寬禁帶半導體的研發(fā)制造單位，為相關工藝提供技術支持。
目前常用的等離子體激發(fā)頻率有3種：激發(fā)頻率為40kHz的等離子體為超聲波等離子體，微波等離子激發(fā)頻率為13.56MHz的等離子體為高頻等離子體，2.45GHz的等離子體為微波等離子體。非均勻等離子體的自偏壓不同。超聲波等離子的自偏壓在1000V左右，高頻等離子的自偏壓在250V左右，微波等離子的自偏壓很低，只有幾十V。博爾特和三種等離子機制是不同的。
利用低溫等離子體技術對碳納米管進行改性組裝后，微波等離子將碳納米管用于環(huán)境污染物的檢測和治理研究，取得了一系列的成果。 采用Ar/H2O,Ar/NH3,Ar/O2微波等離子體對碳納米管進行表面處理，在碳納米管上引入含氧、含氨基等功能基團，改善其親水性，使之成為納米溶液。這類經(jīng)處理的功能化材料對于改善碳納米管的生物吸附和環(huán)境吸附有良好的應用前景。
當采用AC時，微波等離子只能選用電信規(guī)定的科研及工業(yè)用頻段（中頻MF40KHz、射頻RF13.56MHz、微波頻率MW2.45GHz）否則會干擾無線電通信。。車輛涂裝和船舶使用等離子體表面處理的3個因素，物理效用下等離子體中的大量離子體、刺激性分子和自由基等多種特異性粒子效用于物質(zhì)樣品表面，可以去除表面本來的污染物和雜質(zhì)。
微波等離子
由于這屬于無線電波頻譜范圍，故又稱為射頻放電（Radio frequency discharge），簡稱RF放電，最常用的頻率為13.56MHz。當所用電場的頻率超過1GHz時，屬于微波放電（Microwave discharge），簡稱為MW放電。常用的微波放電頻率為2450MHz。 本篇關于大氣等離子清洗機的文章出自北京 ，轉(zhuǎn)載請注明出處。。
等離子清洗技術不會在微觀尺度上影響材料表面的材料特性：隨著等離子科學研究、聚變實驗的需要，以及工業(yè)對可靠等離子處理系統(tǒng)和等離子清洗技術設備的需求不斷增加，它已從 19 世紀的氣體排放設備發(fā)展到與先進技術并駕齊驅(qū)。進入生產(chǎn)設備。任何用直流電、高頻和微波電場電離氣體的方法都可以用來產(chǎn)生等離子體源。等離子清洗技術為微觀尺度的材料表面改性提供了一種環(huán)保且經(jīng)濟的方法，并且改性過程不需要機械處理或化學試劑。
但光刻膠只是圓形轉(zhuǎn)化的媒介，當光刻機在光刻膠上形成納(米)圖形后，需要進行下一步的生長或刻蝕的工藝，之后需要用某種方法把光刻膠去除。等離子體去膠機可以實現(xiàn)此功能。它用射頻或微波方式產(chǎn)生等離子體，同時通入氧氣或其他氣體，等離子體與光刻膠進行反應，形成氣體被真空泵抽走。
低溫等離子表面處理原理 低溫等離子體是低氣壓放電（輝光、電暈、高頻和微波等）產(chǎn)生的電離氣體，在電場作用下，氣體中的自由電子從電場獲得能量成為高能量電子。
遠距等離子體蝕刻機臺就可以滿足這些工藝的需要。遠距離等離子體蝕刻機臺的等離子體產(chǎn)生以及蝕刻反應是在不同的腔室中完成的。反應氣體進入等離子體激發(fā)腔室，微波等離子在外加電場或者微波的作用下電離產(chǎn)生等離子體，然后通過一個管道 或者特定的過濾裝置進入蝕刻腔室。由于帶電粒子在傳輸?shù)倪^程中會被管道器壁或者特定裝置過濾掉。中性的自由基會進如反應腔室與待蝕刻晶圓進行反應。由于沒有帶電粒子，整個反應過程不會產(chǎn)生與帶電粒子相關的損害。
是專業(yè)從事真空及大氣等離子清洗機、等離子處理機、等離子刻蝕機、等離子去膠機、等離子灰化機、等離子表面處理機、等離子表面處理設備，微波等離子射頻及微波等離子體技術研發(fā)、推廣、銷售于一體的高新技術企業(yè)，隸屬于戈德爾等離子科技（香港）控股有限公司，總部設于香港 。
